记忆体价格Q4将再飙3成 登2年新高 作者:计算之家

集邦科技研究单位DRAMeXchange表示,随着DRAM原厂持续调整产出比重,标準型记忆体在供货持续吃紧下,9月合约价维持强劲上涨走势,均价已来到14.5美元,月涨幅达7.4%,而且在全球笔电需求出乎意料大增的情况下,预估第4季的合约价季涨幅将直逼3成,创下2年来的新高点。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,DRAM现货颗粒价格涨幅更为剧烈,如DDR3/4 4Gb价格分别来到2.1/2.0美元,较上月同期已各上涨19%与15%,显见市场供不应求的态势持续扩大。从供需状况来看,第3季智慧型手机、笔电正处备货高峰,再加上行动式记忆体产出扩大至整体产出的4成以上,使得标準型记忆体产出遭到排挤,至目前仅剩不到2成。此外,适逢传统销售旺季即将来临,笔电配置8GB记忆体的新款机种数量也在迅速攀升中,尤以商务机种最为明显。吴雅婷指出,第3季PC-OEM客户已开始对标準型记忆体追价与追量,带动第4季还有一波更高的涨幅。不仅如此,第4季标準型记忆体需求大增,超过DRAM原厂的预估,使得供需失衡更加雪上加霜,也由于原厂标準型记忆体呈现供货吃紧,9月PC-OEM厂已积极议定第4季度的价格。吴雅婷表示,第4季DRAM合约价大战提前开打,主因在于标準型记忆体产能转进行动式与伺服器用记忆体的速度过快,加上部分厂商20/21奈米良率提升不如预期,恐难满足原先预估的需求,因此引起PC-OEM的恐慌而加量抢货,并亟欲提高现有库存水位来稳定自身的DRAM需求。另一方面,受惠于手持式装置产品的需求推升,NAND产品同时缺货,第4季eMCP产品涨幅可达10~15%。吴雅婷表示,此波的抢货作战产生的连锁效应,使得伺服器用记忆体也呈现涨价,自第3季以来有约10%的上涨,行动式记忆体则在NAND产品同时缺货下,第4季eMCP产品至少有10~15%的涨幅。(杨喻斐/计算之家报导)

 

2016-10-03 16:00
来源:www.antivirus-china.org.cn
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